三星已经开始量产采用尖端EUV技术的14nmDDR5DRAM。三星的五层EUV工艺使其能够以20%的生产力提升实现业内最高的DDR5DRAM位密度。DDR5DRAM的功耗也比之前的DRAM节点低20%。
三星宣布已开始量产最先进的14nm、基于EUV的DDR5DRAM。三星还宣布，该公司已成功将EUV层数增加到五个。这让这家韩国巨头获得了市场上最高的DRAM位密度，同时还将晶圆生产率提高了20%。此外，由于使用了14nm制造工艺，与该公司的上一代DRAM节点相比，三星新的DDR5DRAM芯片的能效提高了20%。
三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管JooyoungLee表示，三星的多层EUV使14纳米DDR5DRAM成为可能，这是传统氟化氩(ArF)工艺无法实现的产品。
三星新开发的DDR5DRAM将以接近每秒7.2吉比特(Gbps)的速度运行，几乎是DDR4速度的两倍。这将为服务器应用程序和AI工作负载提供显着的速度提升。三星还希望在未来几年内将其14nmDDR5产品的位密度提高到24Gb，进一步巩固该公司作为AI和5G领域首选半导体制造商的地位。
